Intel Corporation y Micron Inc. han desarrollado una memoria instantánea NAND de alta velocidad, dirigida a aplicaciones electrónicas que necesitan 5 veces más la velocidad de una memoria flash convencional.

Esta nueva NAND de alta velocidad puede alcanzar velocidades de hasta 200 Mb/s para la lectura de datos y de 100Mb/s para la escritura de datos para la utilización de las nuevas especificaciones ONFI 2.0(Open Nand Flash Interface) y los cuatro planos de arquitectura con velocidades de reloj más altas.

Esta nueva memoria podría ser la solución para la nueva tecnología de transmisión de datos que se espera USB 3.0, esta tiene el objetivo de aumentar 10 veces el ancho de banda de la actual USB 2.0(alrededor de 4,8 Gb por segundo).